SRM 2842 半导体薄膜：AlxGa1-xAs 外延层（Al 摩尔分数 x 接近 0.30）

SRM 2842 半导体薄膜：AlxGa1-xAs 外延层（Al 摩尔分数 x 接近 0.30）

       本标准参考物质（SRM）旨在用作测量薄膜成分的分析方法的参考标准，如电子探针分析（EMPA）、光致发光（PL）、俄歇电子能谱（AES）和X射线光电子能谱（XPS）。SRM 2842的单元由AlxGa1-xAs的外延层组成，该外延层通过使用胶带在安装到不锈钢盘上的砷化镓（GaAs）衬底上生长，具有经认证的Al摩尔分数x。每个单元都密封在含有氮气气氛的聚酯薄膜外壳中。SRM作为比较标准的正确使用取决于分析方法（见“测量条件和程序"和NIST特别出版物260-163[1]）。

SRM Number（货号）：SRM 2842

Description：Semiconductor Thin Film: AlxGa1-xAs Epitaxial Layers (Al mole fraction x near 0.30)

描述：半导体薄膜：AlxGa1-xAs 外延层（Al 摩尔分数 x 接近 0.30）

Unit of Issue（产品规格）：disk

SRM 2842 半导体薄膜：AlxGa1-xAs 外延层（Al 摩尔分数 x 接近 0.30）

       储存和处理：AlGaAs是一种稳定的化合物，但在储存和处理过程中，薄膜会受到表面污染和氧化。SRM应储存在无尘的氮气环境中或温度低于50°C的真空环境中。为了运输到分析系统或在分析系统中使用而偶然暴露于空气中，直到这种暴露超过数千小时，才发现会产生显著污染。SRM应由金属安装盘用干净的非金属镊子处理，不要接触半导体区域。半导体表面的颗粒污染可以用去离子水或干氮流去除，用户必须确认没有引入额外的污染。用于将半导体安装到不锈钢盘上的胶带可溶于异丙醇、丙酮和其他有机溶剂，使用这些溶剂可能导致粘合剂或胶带颗粒迁移到样品表面。应将试样表面的边缘排除在分析之外。

部分NIST标准物质产品目录（仅列举小部分）：